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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Metalens HEMT CRYSTALS AlGaN/GaN HEMT Diffraction Silicium Optical properties Diodes électroluminescentes GaN LEDs Boîtes quantiques Épitaxie par jets moléculaires AlGaN Zinc oxide AlGaN/GaN Bending Heterostructures CVD InGaN Free-standing GaN Strong coupling Group III-nitrides Nitrides Molecular beam epitaxy Croissance Silica Aluminum nitride Microscopie électronique en transmission Gallium nitride Nanowire Coalescence Quantum wells Schottky barrier diode Millimeter-wave power density Graphene High electron mobility transistor Gallium nitride GaN Light emitting diodes Bullseye antennas Épitaxie LPCVD Dislocations Electron holography Bond order wave AlN Cathodoluminescence Normally-off Photoluminescence Electrical properties and parameters Aluminum gallium nitride Transmission electron microscopy Compressive stress Silicon ZnO Chemical vapor deposition Contraintes Boron nitride Spectroscopy Caractérisation III-nitrides III-nitride semiconductors High electron mobility transistors Semiconducteurs Metasurface Nitrures d'éléments III Silicon carbide Metasurfaces Defects High electron mobility transistor HEMT DLTFS Characterization Doping Nitrure de gallium Tunnel junction Selective area growth Epitaxy Molecular beam epitaxy MBE Microcavity 3C–SiC MBE GaN-on-Si Nanostructures Transistor Semiconductors III-N Traps Excitons Atom probe tomography Chemical vapor deposition processes 6H-SiC Atomic force microscopy 2D materials Nanoparticles Creep Holography GaN HEMT LED Al Quantum dots MOCVD