Laser-Induced Faults in SRAM Memory Cells: Experimental Results and Simulation-based Analysis

Jean-Max Dutertre 1 Cyril Roscian 1 Alexandre Sarafianos 2 Marc Lacruche 1
1 SAS-ENSMSE - Département Systèmes et Architectures Sécurisés
2 ST-TOURS - STMicroelectronics [Tours]
Abstract : I. Introduction Laser fault injection – mechanism SRAM fault injection sensitivity II. Fault model Description & Assumptions III. Experimental results Standalone SRAM / μCTRL RAM IV. Model-based simulation of laser-induced faults V. Conclusion and perspectives
Keywords : SRAM hardware security SEU simulation laser fault injection
Type de document :
Communication dans un congrès
TRUDEVICE - WG Meetings, 2013, Dec 2013, Freiburg, Germany
Liste complète des métadonnées
https://hal-emse.ccsd.cnrs.fr/emse-01110358
Contributeur : Jean-Max Dutertre <>
Soumis le : mercredi 28 janvier 2015 - 13:27:32
Dernière modification le : jeudi 25 octobre 2018 - 14:28:04

Annexe

Identifiants

  • HAL Id : emse-01110358, version 1

Collections

EMSE | SAS-ENSMSE

Citation

Jean-Max Dutertre, Cyril Roscian, Alexandre Sarafianos, Marc Lacruche. Laser-Induced Faults in SRAM Memory Cells: Experimental Results and Simulation-based Analysis. TRUDEVICE - WG Meetings, 2013, Dec 2013, Freiburg, Germany. 〈emse-01110358〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

102

Téléchargements de fichiers

124

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD