Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology - Mines Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology

Résumé

This paper presents measurements of pulsed photoelectrical laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology. The laser power was able to trig the NPN parasitic bipolar Drain/Psubstrate/Source. An electrical model is proposed in order to simulate effects induced by the laser. Results extracted from the electrical simulator are compared to measurements.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://hal-emse.ccsd.cnrs.fr/emse-01109124

Soumis le : samedi 24 janvier 2015-17:22:53

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:12

Archivage à long terme le : samedi 25 avril 2015-10:10:31

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Dates et versions

emse-01109124 , version 1 (24-01-2015)

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Citer

Alexandre Sarafianos, Olivier Gagliano, Valérie Serradeil, Mathieu Lisart, Jean-Max Dutertre, et al.. Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology. International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2013, Monterey, United States. ⟨10.1109/IRPS.2013.6532028⟩. ⟨emse-01109124⟩

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