Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology - Mines Saint-Étienne
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology

Résumé

This paper presents measurements of pulsed photoelectrical laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology. The laser power was able to trig the NPN parasitic bipolar Drain/Psubstrate/Source. An electrical model is proposed in order to simulate effects induced by the laser. Results extracted from the electrical simulator are compared to measurements.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Fichier principal
Vignette du fichier
HAL_IRPS_2013_Building_the_electrical_model_of_the_pulsed_photoelectric_laser_stimulation_of_an_NMOS_transistor_in_90nm_technology.pdf (686.21 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Jean-Max Dutertre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-emse.ccsd.cnrs.fr/emse-01109124

Soumis le : samedi 24 janvier 2015-17:22:53

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-15:46:02

Archivage à long terme le : samedi 25 avril 2015-10:10:31

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

emse-01109124 , version 1 (24-01-2015)

Identifiants

Citer

Alexandre Sarafianos, Olivier Gagliano, Valérie Serradeil, Mathieu Lisart, Jean-Max Dutertre, et al.. Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of an NMOS transistor in 90nm technology. International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2013, Monterey, United States. ⟨10.1109/IRPS.2013.6532028⟩. ⟨emse-01109124⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

EMSE CEA SAS-ENSMSE DRT INSTITUT-MINES-TELECOM
101 Consultations
412 Téléchargements

Altmetric

Partager

More