Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells - Mines Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells

Résumé

Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique
C_2013_1_talk_Cosade_Discussion_on_the_Model_of_Laser_Induced_Faults_in_SRAM_Memory_cells.pdf (606.03 Ko) Télécharger le fichier
Format : Présentation
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Jean-Max Dutertre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-emse.ccsd.cnrs.fr/emse-01109302

Soumis le : mercredi 28 janvier 2015-13:26:33

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:12

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Dates et versions

emse-01109302 , version 1 (28-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : emse-01109302 , version 1

Citer

Cyril Roscian, Alexandre Sarafianos, Jean-Max Dutertre, Assia Tria, Mathieu Lisart. Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells. Forth International Workshop on Constructive Side-Channel Analysis and Secure Design, COSADE 2013, Mar 2013, Paris, France. ⟨emse-01109302⟩

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