Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells - Mines Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells

Résumé

Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells
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Format Présentation
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

emse-01109302 , version 1 (28-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : emse-01109302 , version 1

Citer

Cyril Roscian, Alexandre Sarafianos, Jean-Max Dutertre, Assia Tria, Mathieu Lisart. Discussion on the Model of Laser Induced Faults in SRAM Memory cells. Forth International Workshop on Constructive Side-Channel Analysis and Secure Design, COSADE 2013, Mar 2013, Paris, France. ⟨emse-01109302⟩
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