Building the electrical model of the Photoelectric Laser Stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology

Abstract : This paper presents the electrical model of a PMOS transistor in 90nm technology under 1064nm Photoelectric Laser Stimulation. The model was built and tuned from measurements made on test structures. It permits to simulate theeffectofacontinuous wave laser on a PMOS transistor by taking into account the laser's parameters (i.e. spot size and location, orpower)andthePMOS'geometryandbias. It offers a significant gain of time by comparison with experiments and makes possible to build 3D photocurrent cartographies generated by the laser on the PMOS.
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Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, pp.2035-2038. 〈10.1016/j.microrel.2012.06.047〉
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Contributeur : Jean-Max Dutertre <>
Soumis le : mercredi 28 janvier 2015 - 09:06:41
Dernière modification le : mardi 23 octobre 2018 - 14:36:11
Document(s) archivé(s) le : mercredi 29 avril 2015 - 10:25:38

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A Sarafianos, R Llido, O Gagliano, V Serradeil, M Lisart, et al.. Building the electrical model of the Photoelectric Laser Stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, pp.2035-2038. 〈10.1016/j.microrel.2012.06.047〉. 〈emse-01110360〉

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